一、概述
電壓無功綜合控制,其含義就是在電壓處于允許的范圍內(nèi)時(shí),以控制無功為主,保證功率因數(shù)在設(shè)定的范圍內(nèi),而當(dāng)電壓超出范圍時(shí)則不再以保證功率因數(shù)為主而改為以電壓為主來調(diào)節(jié)磁控電抗器輸出的無功功率。
電壓無功補(bǔ)償控制器適用于6kV、10kV、27.5kV、35kV的電網(wǎng)中,對(duì)并聯(lián)磁控電抗器進(jìn)行電壓無功綜合控制,以滿足電網(wǎng)無功功率供需平衡,改善供電電壓質(zhì)量,減少電能損耗。
控制器通過控制可控硅的導(dǎo)通角,調(diào)節(jié)加在磁控電抗器上的直流勵(lì)磁的大小,從而電抗器磁路的飽和程度就得以控制,達(dá)到控制電抗器輸出容量的目的。對(duì)應(yīng)的電抗器的容量在0~100%連續(xù)可調(diào)?梢院碗娙萜髀(lián)合提供正負(fù)可調(diào)的無功功率,其調(diào)整的范圍由配裝的并聯(lián)電抗器和并聯(lián)電容器的容量決定。
因?yàn)榭梢钥刂戚敵龈行詿o功功率連續(xù)可調(diào),并具有很快的響應(yīng)時(shí)間、很高的精度控制功率因數(shù)和系統(tǒng)電壓,功率因數(shù)可以控制達(dá)到0.999,僅此網(wǎng)損就可以降低20%左右。
一、特點(diǎn)
1)采用32位MCU作為主CPU,配置大容量的RAM和Flash Memory;數(shù)據(jù)運(yùn)算、邏輯處理和信息存儲(chǔ)能力強(qiáng),可靠性高,運(yùn)行速度快。
2)采用14位A/D作為數(shù)據(jù)采集,測(cè)量精度高。
3)采用圖形液晶,全中文顯示菜單式人機(jī)交互;可實(shí)時(shí)顯示各種運(yùn)行狀態(tài)及數(shù)據(jù),信息詳細(xì)直觀,操作、調(diào)試方便。
4)可靈活設(shè)置系統(tǒng)及磁控電抗器參數(shù)。
5)可對(duì)系統(tǒng)的有功功率、無功功率、電壓有效值、電流有效值、功率因數(shù)等進(jìn)行全面的監(jiān)控與測(cè)量。
6)過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、電抗器過溫保護(hù)、電抗器過流保護(hù)、電抗器輕重瓦斯保護(hù)、三相不平衡保護(hù)等多種保護(hù)功能。
7)大容量的信息記錄:可保存不小于100個(gè)最近發(fā)生的歷史報(bào)告,掉電保持,便于事故分析。
8)可選101規(guī)約和MODBUS規(guī)約,設(shè)有RS-485 通信接口;組網(wǎng)經(jīng)濟(jì)、方便,可直接與微機(jī)監(jiān)控或保護(hù)管理機(jī)聯(lián)網(wǎng)通訊。
二、控制器測(cè)量精度
1)各模擬量的測(cè)量誤差不超過額定值的± 0.2%。
2)功率測(cè)量誤差不超過額定值的± 0.5%。
3)開關(guān)量輸入電壓(DC 24V),分辨率不大于2ms。
三、控制器額定數(shù)據(jù)
1)電源電壓: AC 220V
2)額定交流數(shù)據(jù):相電壓: 100/V
交流電流:5A
額定頻率:50Hz
3)熱穩(wěn)定性:交流電壓回路:長期運(yùn)行 1.2Un
4)交流電流回路:長期運(yùn)行 2In
5)Is 40In
注釋:Is:物體由原子組成,每個(gè)原子的核外電子繞原子核高速旋轉(zhuǎn),電子旋轉(zhuǎn)就形成了“電流環(huán)”,這個(gè)電流就是Is。也是產(chǎn)生分子磁矩的原因。介質(zhì)在磁場(chǎng)中,Is(電流環(huán))有序整齊的排列,并且分子電流的環(huán)流方向都一致(分子磁矩方向一致),在介質(zhì)內(nèi)部相鄰的Is抵消掉了,只有表面的is沒有相鄰的,抵消不掉。這樣宏觀上,介質(zhì)表面就有一層電流,這個(gè)就是磁化電流Is。
四、控制器抗干擾性能
1)脈沖群干擾:能承受GB/T14598.13-1998 規(guī)定的頻率為1MHz及100kHz衰減振蕩波(第一半波電壓幅值共模為2.5kV,差模為1kV)脈沖群干擾試驗(yàn)。
2)快速瞬變干擾:能承受GB/T14598.10-1997 第四章規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為Ⅳ級(jí)的快速瞬變干擾試驗(yàn)。
3)輻射電磁場(chǎng)干擾:能承受GB/T14598.9-1995第四章規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為Ⅲ級(jí)的輻射電磁場(chǎng)干擾試驗(yàn)。
4)靜電放電:能承受GB/T14598.14-1998 中4.1規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為Ⅲ級(jí)的靜電放電試驗(yàn)。
5)控制器測(cè)量精度
a各模擬量的測(cè)量誤差不超過額定值的±0.2%。
b功率測(cè)量誤差不超過額定值的±0.5%。
c開關(guān)量輸入電壓(DC 24V),分辨率不大于2ms。
五、控制器參數(shù)整定定值
1)運(yùn)行控制字:①電壓無功控制 ② 電壓控制 ③ 功率因數(shù)控制 ④ 無功功率控制
2)運(yùn)行電壓上限:1kV~500kV
3)運(yùn)行電壓下限:1kV~500kV
4)COS設(shè)定值:0~1.000
5)無功設(shè)定值:0~10000kvar
6)電壓變比:0~1000
7)電流變比:0~1000
8)電抗器額定電流:0~1000A
9)電抗器額定電壓:1kV~500kV
10)過壓定值:1kV~500kV
11)過壓恢復(fù)定值:1kV~500kV
12)過流定值:1kV~500A
13)過壓延時(shí):0~60s
14)過流延時(shí):0~60s
15)輕瓦斯延時(shí):0~60s
16)重瓦斯延時(shí):0~60s
17)溫度延時(shí):0~60s
18)裝置MODBUS通信地址:0~247
19)通信速率:①600bps ②200bps ③2400bps ④4800bps ⑤9600bps ⑥19200bps
20)通信規(guī)約:①101規(guī)約(設(shè)備調(diào)試) ②MODBUS規(guī)約
六、控制器告警信息
1)過壓告警:
2)過流告警:
3)輕瓦斯告警:壓力達(dá)到25kpa告警
4)重瓦斯跳閘:壓力達(dá)到35kpa跳閘
5)溫度告警:鉑電阻達(dá)到85°C報(bào)警
鉑電阻達(dá)到105°C跳閘
6)三相不平衡保護(hù):磁控電抗器三相最大與最小電流比大于1.3,電抗器最小電流大于0.3倍的額定電流時(shí)間超過5秒動(dòng)作。
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