串聯(lián)電抗器串聯(lián)連接在電容器回路中，主要起限制合閘涌流和優(yōu)化抑制諧波之用。只用來抑制合閘涌流者，應(yīng)選用每相額定感抗XL為(0.1-1)%XC。（XC為電容器組每相的額定容抗）的電抗器；用來抑制5次及以上諧波者，應(yīng)選用XL為(4.5-6)%XC的電容器；用來抑制3次以上諧波者，應(yīng)選用XL為(12-13)%XC的電容器。

放電線圈（或電壓互感器）并聯(lián)連接在電容器回路中，當(dāng)斷開電源后，能使電容器上的剩余電壓在5s內(nèi)從√2Un降到50V以下。

氧化鋅避雷器接成Y型接入線路，其中性點接地，以限制投切電容器組時所引起的操作過電壓。隔離開關(guān)既可以接成線路隔離又可以接成對地隔離，也可以兩者兼有。

四、一次原理圖

圖1 一次原理圖

五．磁控電抗器工作原理

磁控電抗器是利用直流助磁的原理，即利用附加直流勵磁，磁化電抗器鐵芯，通過調(diào)節(jié)磁控電抗器鐵芯的磁飽和程度，改變鐵芯的磁導(dǎo)率，實現(xiàn)電抗值的連續(xù)可調(diào)。在鐵芯上設(shè)置由不飽和區(qū)域鐵芯和飽和區(qū)域鐵芯交錯排列組成并聯(lián)磁路，在并聯(lián)磁路中按比例設(shè)定不飽和區(qū)域與飽和區(qū)域鐵芯面積或設(shè)定不飽和區(qū)域鐵心與飽和區(qū)域鐵芯各自磁阻，通過調(diào)節(jié)可控硅觸發(fā)導(dǎo)通角來控制附加直流勵磁電流對鐵芯的勵磁磁化，使飽和區(qū)域鐵芯的漏磁通由主磁通方向被前后相鄰或左右相鄰的不飽和區(qū)域鐵芯吸收而形成自屏蔽，通過對鐵芯的勵磁磁化改變并聯(lián)磁路中不飽和區(qū)域鐵芯和飽和區(qū)域鐵芯的磁飽和程度實現(xiàn)電抗值的連續(xù)、快速可調(diào)。可控電抗器原理接線圖如圖2所示。

圖2 磁控電抗器的原理接線圖

在可控電抗器的工作鐵芯柱上分別對稱的繞有匝數(shù)為N/2的兩個線圈，其上有抽頭比為 N2/N的抽頭，它們之間接有可控硅Tl、T2，不同鐵芯的上下兩個主繞組交叉連接后并聯(lián)至電源，續(xù)流二極管接在兩個線圈的中間。

當(dāng)磁控電抗器主繞組接至電源電壓時，在可控硅兩端感應(yīng)出1％左右的系統(tǒng)電壓。在電源電壓正半周觸發(fā)導(dǎo)通可控硅T1，形成下圖（a）所示的等效電路，在回路中產(chǎn)生直流控制電流；在電源電壓負(fù)半周觸發(fā)導(dǎo)通可控硅T22，形成圖(b)所示的等效電路，在回路中產(chǎn)生直流控制電流。兩個可控硅在一個工頻周期輪流觸發(fā)導(dǎo)通，產(chǎn)生直流控制電流，使電抗器工作鐵芯飽和，輸出電流增加。磁控電抗器輸出電流大小取決于可控硅控制角，控制角越小，產(chǎn)生的控制電流越強，從而電抗器工作鐵芯磁飽和度越高，輸出電流越大。因此，改變可控硅控制角，可平滑調(diào)節(jié)電抗器容量。而且由上分析可知，磁控電抗器具有自藕勵磁功能，省去了單獨的直流控制電源。

六、磁控電抗器結(jié)構(gòu)設(shè)計

采用磁路并聯(lián)漏磁自屏蔽磁路和自藕式直流助磁電路的設(shè)計技術(shù)，鐵芯采用磁密不飽和的對稱分裂結(jié)構(gòu)，繞組采用上下并聯(lián)左右對稱結(jié)構(gòu)。應(yīng)用大型變壓器的結(jié)構(gòu)技術(shù)，高壓電流互感器（CT）、電壓互感器（PT）、電容式電壓互感器（CVT）的絕緣技術(shù)，通過多年研發(fā)創(chuàng)立的新技術(shù)，真正實現(xiàn)了磁控電抗器的產(chǎn)品化；與磁閥式可控電抗技術(shù)比較，真正達(dá)到了損耗小、噪音低，接近于低損耗電力變壓器水平；結(jié)構(gòu)合理，生產(chǎn)工藝成熟。可以批量生產(chǎn)；質(zhì)量可靠，運行安全免維護(hù)，成本低。鐵芯不飽和設(shè)計，加上對稱結(jié)構(gòu)互相不干擾，鐵芯損耗小，噪音低；伏安特性，近似直線（硅鋼片磁化曲線的線性段）；本體基本上不產(chǎn)生諧波，控制回路產(chǎn)生的少量諧波，由于采用△接線，不向系統(tǒng)輸出；主要的漏磁通在鐵芯內(nèi)得到有效屏蔽，線圈和油箱中的漏磁通小，附加損耗小，總損耗小；按照容量大小，是磁閥式可控電抗器或 SVC 中相控電抗器（TCR）的 50％以下；方便安裝，占地面積小，基本上不需要維護(hù)；電抗器容量調(diào)節(jié)范圍大：1％~100％。